CVD povlak z karbidu tantalu (TaC).

Povrchová úprava TaC sa zvyčajne zvažuje, keď SiC začína dosahovať svoje limity. Toto sa stáva častejšie pri epitaxii SiC alebo raste kryštálov, kde sú náročnejšie teplota aj procesná atmosféra.

Vďaka oveľa vyššiemu bodu topenia TaC lepšie zvláda dlhšie vystavenie vysokým teplotám, najmä v prostrediach s vodíkom alebo HCl. V praxi to má vplyv na procesy, ako je rast PVT, kde tepelná stabilita priamo ovplyvňuje kvalitu kryštálov.

Medzi typické aplikácie patria krúžky na vedenie prúdenia, držiaky semien, časti súvisiace s téglikom a ďalšie štruktúry vo vnútri tepelného poľa. Tieto komponenty sú dlhodobo vystavené drsným podmienkam, takže zníženie degradácie je dôležité. V niektorých zariadeniach TaC postupne nahrádza staršie materiály ako pBN a dokonca aj niektoré časti potiahnuté SiC, hoci to stále závisí od nákladov a návrhu procesu.